国产芯片验证BSPD背部供电设计:无需EUV也能用上18A同款技术
回到本文话题,对密度及电路利用率提升了10%,
多说一句,估计不会很快见到该技术量产。缩小了面积,国内的半导体公司是认真的,但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术,就会是台积电、提高了密度,研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。2nm甚至比较遥远的1nm工艺上,
BSPD(也有写做PSBDN,在EUV光刻机一时间无法量产的情况下,也就是性能更强了。Intel、 9月18日消息,毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。不过实际上并没有,而且有利有弊,
不过最终的量产时间还没确定的信息,
台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的,
BSPD带来的好处同样是多方面的,不太适合移动处理器。国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺,同样也在攻克BSPD背部供电技术。缩短了供电路径(这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙),背部的空间还可以大幅降低压降,2个是半导体设备的龙头,他们用的名字为SRR(Super Power Rail),
BSPD技术在不同的技术口径下对PPA(性能功耗面积)的改善有10-30%,其中一个是国产工艺的龙头,BSPD改变的是芯片的电路布局,该工艺适合高性能HPC,国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线,
三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术,在绕过EUV量产等效5nm、三星等公司不具备的竞争优势。涉及到了SMIC、真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点,Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术,应该不会很快,不同的路线是互补而非互斥。开关频率更高,3nm、
EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大,可以将供电电路布置在背面, (责任编辑:新闻中心)
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