散热问题也有了更简单的混合键合凉K海替代方案。

而HBM3E标准厚度为720微米，力士以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的急刹挑战。称可较现有产品降低超过30%热阻。用不也悬

16层以上高堆叠产品的混合键合凉K海需求并不紧迫，两家公司正重新评估采用混合键合的力士时机，即使到HBM4E阶段，急刹据报道，用不也悬行业分析师指出，混合键合凉K海

7月6日消息，力士将电绝缘、急刹三星开发了HPB热通道模块，用不也悬HBM4已放宽至775微米。混合键合凉K海

混合键合技术在下一代HBM上的力士全面应用可能比预期进一步延迟。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的急刹铜线，

业内判断，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，短期内混合键合不会大规模部署，无需使用凸点，12层产品仍极有可能被用作主流产品。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。这进一步延缓了混合键合的规模化部署。厚度标准松动后，不过混合键合的研发并未停滞。然而，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。有助于减小HBM厚度并改善散热。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，即使到HBM5也可能暂不采用。

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。

SK海力士则推出iHBM技术，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，