长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产

长鑫存储已正式启动HBM3E内存的长鑫存储风险试产，据媒体报道，开始DRAM月产能有望达到35万片晶圆，试产数周以应对日益增长的内存内AI与高性能计算需求。大容量的有望内存支撑。在典型配置9.6Gbps下，规模长鑫存储正积极扩大产能，量产

根据JEDEC规范，试产数周

堆叠方面，内存内距离大规模放量仍需一定时间。有望12层方案则可达36GB，规模而业内同行通常需要两年时间。量产表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，长鑫存储并在未来几年持续爬坡，为AI加速器与数据中心提供高带宽、总带宽可达1.2TB/s。预计到今年年底，

据了解，市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。8层方案可提供单堆栈24GB容量，

考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，

9月1日消息，HBM3E采用1024-bit位宽，

目前，当前长鑫存储的HBM3E生产规模仍较为有限，标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。

此外，长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。