捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s

通过优化存储单元的捅破天花排列布局来提升密度。输出功耗降低34%。存储出层较BiCS8提升了33%。板闪输入功耗较BiCS8降低10%，迪铠实现了超过29Gb/mm²的侠联业界领先存储密度。专为AI训练、手推闪存为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。容量

其二是捅破天花间距选择栅极漏极技术，

7月3日消息，存储出层

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，板闪其中数据中心领域增速达46%。迪铠闪迪与铠侠联合宣布，侠联

能效表现方面，手推闪存SCA协议及PI-LTT低功耗技术。容量

捅破天花

捅破天花其一是CMOS直接键合到阵列技术，读取能效提升30%。目前没有公布具体的单颗售价。推理及大规模云工作负载设计。首款产品为1Tb TLC型号，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。这两项技术的成熟与迭代，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，位密度提升59%，采用332层堆叠设计。

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。

性能方面，

技术层面，写入能效提升18%，