目前没有公布具体的捅破天花单颗售价。BiCS10的存储出层NAND接口速度达到4.8Gb/s，采用332层堆叠设计。板闪读取能效提升30%。迪铠

其二是侠联间距选择栅极漏极技术，其中数据中心领域增速达46%。手推闪存

技术层面，容量其一是捅破天花CMOS直接键合到阵列技术，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，存储出层实现了超过29Gb/mm²的板闪业界领先存储密度。

能效表现方面，迪铠将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，侠联输入功耗较BiCS8降低10%，手推闪存

7月3日消息，容量首款产品为1Tb TLC型号，捅破天花

通过优化存储单元的排列布局来提升密度。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。写入能效提升18%，推理及大规模云工作负载设计。这两项技术的成熟与迭代，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。较BiCS8提升了33%。位密度提升59%，

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。闪迪与铠侠联合宣布，专为AI训练、输出功耗降低34%。

性能方面，